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三星电子计划本月设立新研发中心负责研发更先进NAND闪存

作者:醉言  来源:网络  发布时间:2022-08-18 16:22
三星电子计划本月设立新研发中心负责研发更先进NAND闪存

据国外媒体报道,全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在本月成立一个新的RD中心,负责研发更先进的NAND闪存。

韩国媒体首先报道,三星电子计划在本月成立一个新的RD中心,用于研发更先进的NAND闪存。他们在报道三星电子的236层NAND闪存预计今年投产时提到了这一点。

据韩国媒体报道,三星电子成立了一个更先进的NAND闪存研发中心,这与NAND闪存研发领域的激烈竞争有关,因为竞争对手已经开发出了先进的产品。

韩国媒体在报道中提到,SK海力士已经宣布开发238层NAND闪存,预计明年上半年量产;美光科技也完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势,势必需要不断开发更先进的产品。

根据研究机构的数据,三星电子目前在NAND闪存市场的份额远高于其他厂商。就今年第一季度而言,三星电子份额高达35.3%,第二大厂商份额为18.9%,SK海力士份额为18%。

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